Películas de AlN se han depositado por técnica de deposición láser pulsado (PLD) utilizando un Nd: YAG (? = 1064 nm). Las películas se depositaron en una atmósfera de nitrógeno como gas de trabajo, el objetivo fue una pureza de aluminio de alto (99,99%). Las películas se depositaron con una fluencia de láser 7 J/cm2 durante 10 minutos en silicio (100) sustratos. La temperatura del substrato de 300 ° C y la presión de trabajo se varió de 3 a 11 mtorr mtorr. El espesor medido por perfilómetro era 150 nm para todas las películas. La cristalinidad se observó a través de patrón de difracción de rayos X, la morfología y la composición de las películas se estudiaron mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) y energía dispersiva de rayos X de análisis (EDX), respectivamente. Los espectros ópticos de reflectancia coordenadas y el color de las películas fueron obtenidos por reflectometría óptica espectral técnica en el intervalo de 400 cm - 1 a 900 cm - 1 por un espectrofotómetro Ocean Optics 2000. En este trabajo, una clara dependencia de la reflectancia, la longitud de onda dominante y pureza de color se encuentra en términos de la presión aplicada a las películas de AlN. Una reducción en la reflectancia de aproximadamente 55% cuando la presión se incrementó de 3 a 11 mtorr mtorr se observó. Este artículo trata de la formación de películas delgadas de AlN como materiales prometedores para la integración de dispositivos SAW sobre sustratos de Si, debido a sus buenas propiedades piezoeléctricas y la posibilidad de deposición a baja temperatura compatible con la fabricación de circuitos integrados de silicio.